Description
Фотосенсор состоит из 6 чипов фотодиодов, изготовленных по планарной технологии. Фотодиоды пассивированы нитридом кремния, который выступает в качестве антиотражающего слоя. Затем они приклеиваются к печатной плате и защищаются прозрачным эпоксидным клеем. Массив может использоваться в фотоэлектрическом или фотопроводящем режиме.
Особенности
Высокая чувствительность
Низкая емкость
Подходит для SMT
Высокая надежность
Пиковая длина волны 830 нм
