Описание
На основе системы материалов (Al,In,Ga)P мы предлагаем светодиодные чипы в видимом диапазоне от 560 нм до 660 нм. Предлагается индивидуальный биннинг чипов в соответствии с потребностями заказчика. С помощью этих технологий мы удовлетворяем спрос на чипы высокой и низкой мощности с размерами от 235 x 235 мкм до 1960 x 1960 мкм. Кроме того, мы можем разрабатывать и производить индивидуальные структуры электрических контактов и размеры чипов для индивидуальных решений.
OSA Opto Light GmbH — ваш партнер по разработке и производству стандартных и индивидуальных светодиодных чипов, таких как:
— чип высокой мощности
— Высокоскоростные чипы
— Монолитные дисплеи
— Специальные конструкции чипов
На основе систем материалов (Ga,Al)As, Ga(As,P) и (Al,In,Ga)P мы предлагаем широкий спектр светодиодных чипов в видимом (550-650 нм) и близком к IRED (660-1140 нм) диапазоне. С помощью этих технологий мы можем удовлетворить спрос на чипы с более низкой интенсивностью, а также на высокоэффективные чипы.
Компетенция в инфракрасном диапазоне
Одной из наших ключевых компетенций является бесподложечная (Ga,Al)As -технология, которая позволяет нам предложить нашим клиентам светодиодные чипы в диапазоне длин волн λp=635-1140нм с высокой внешней квантовой эффективностью и отличной долговременной стабильностью. Длина волны излучения может быть выбрана с шагом от 5 до 10 нм, также может быть предложен узкий выбор длины волны (вплоть до допусков ± 3 нм). Если заказчик должным образом позаботится о тепловом контроле в рамках приложения, OSA Opto Light GmbH может покрыть нашими изделиями весь диапазон длин волн. Наша технология (Ga,Al)As позволяет создавать чипы без вторичного пика. Некоторые конструкции разработаны для короткого времени переключения до 5нс.
