Description
Микроскоп с перевернутым излучением представляет собой систему анализа с обратной стороны, предназначенную для определения мест возникновения неисправностей путем обнаружения света и тепла, излучаемых от дефектов полупроводниковых приборов.
Обнаружение сигнала с обратной стороны облегчает использование измерительной и зондовой карты на поверхности полупроводниковой пластины, а настройка образца может быть выполнена плавно. Платформа, позволяющая монтировать несколько детекторов и лазеров, позволяет выбирать оптимальный детектор для выполнения различных методов анализа, таких как анализ светового излучения и тепловыделения, анализ ИК-ОБИРКХ и других, кроме того, позволяя проводить динамический анализ эффективно с помощью подключения тестера.
ФЕМОЗ-ДД
Подключение непосредственно к тестеру LSI позволяет снизить задержку сигнала из-за длины соединительного кабеля, а также проанализировать образцы высокоскоростного вождения. Прямая стыковка специального пробера позволяет прикрепить иглу с несколькими штырями к 300-миллиметровым пластинам, а с дополнительной опцией можно проводить анализ пакетов, а также прикрепить иглу с помощью манипулятора.
Особенности
— Две сверхвысокочувствительные камеры, монтируемые для эмиссионного и теплового анализа
— Монтаж лазеров с длиной волны до 3-х волн и источника света для ЭОП
— Мульти-платформа, способная монтировать несколько детекторов
— Высокая чувствительность макрообъектива и до 10 линз, подходящих для каждой длины волны чувствительности детектора
Варианты
— Включает в себя систему лазерного сканирования
— Эмиссионный анализ с высокочувствительной ближней инфракрасной камерой
— Тепловой анализ с высокочувствительной среднеинфракрасной камерой
— ИК-ОБИРАХ-анализ
— Динамический анализ с помощью лазерного излучения
— анализ зондовых измерений
— Анализ высокого разрешения и высокой чувствительности с использованием NanoLens
