Описание
Химическое осаждение из паровой плазмы (PECVD) — это процесс, в котором энергия плазмы используется для ускорения химических реакций на поверхности пластины с целью получения тонких пленок при температуре ниже 400°C. Энергичная ионная бомбардировка во время осаждения может использоваться для изменения электрических и механических свойств пленок. Системы SPTS Delta™ PECVD используются для широкого спектра приложений на рынках современной упаковки, радиочастот, электроники, фотоники и МЭМС, особенно в тех случаях, когда требуется низкая температура обработки. Кластерная система Delta™ fxP предлагает обширную библиотеку процессов для широкого спектра диэлектрических пленок с температурой осаждения от 80°C до 400°C. Система также предлагает одно- и многоклетьевые камеры предварительного нагрева для дегазации чувствительных подложек и возможность обработки краевых контактов для осаждения с обратной стороны пластин.
— SiCN для гибридного склеивания и толстый SiO для заполнения межпластинчатых зазоров
— Подложки TSV и пассивация сквозных отверстий
— Пассивация SiN для силовых микросхем с малой мощностью и низким уровнем повреждений для GaN
— Низкотемпературные боковые пленки с компенсацией изгиба
— Высокооднородный SiN для пассивации MIM-конденсаторов и GaAs-устройств.
— Пленки с регулируемым RI и легированием для активной и пассивной фотоники
