Description
Дискретные IGBT-транзисторы Bourns® серии BID сочетают в себе технологии МОП-затвора и биполярного транзистора, создавая оптимальный компонент для высоковольтных и сильноточных приложений. В данном устройстве используется передовая технология Trench-Gate Field-Stop, обеспечивающая более широкий контроль над динамическими характеристиками, что приводит к снижению напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) и уменьшению потерь при переключении. Кроме того, такая структура повышает надежность устройства и обеспечивает более низкий RTH. Решение Bourns® IGBT подходит для применения в SMPS, UPS и PFC.
