Описание
Реактор LPE, разработанный для специальных требований к росту сложных полупроводников II-VI. MCT HgCdTe-эпитаксия для применения в тепловидении.
LPE-оборудование для технологий II-VI
Концепция LPE-реактора ESY-10/S была разработана компанией SOF Optoelectronics для специальных требований LPE-выращивания сложных полупроводников II-VI, таких как HgCdTe. Высокая производительность 200 см² на эпитаксиальный процесс в сочетании с уникальным материалом корпуса и конструкцией для гомогенизации расплава являются ведущими характеристиками этого оборудования, которое успешно работает по всему миру в различных областях применения
В дополнение к стандартной печи ESY-10/S для промышленного и научно-исследовательского использования могут быть реализованы решения, разработанные заказчиком, с большим количеством опций. Печь ESY-10/S может быть прекрасно дополнена встроенной независимой системой печей отжига. Герметичный азотный загрузочный перчаточный ящик позволяет оператору загружать и выгружать трубки печи под защитной атмосферой
Печь LPE — технические характеристики
Комбинированная печь с одной или двумя трубками с вертикальным LPE и отжигающей кварцевой трубкой
3 зоны нагрева для эпитаксии и 1 независимая зона нагрева для источника ртути
Источник паров Hg внутри трубки печи
Температура до 750°C
Точность регулирования температуры: ± 0,5 °C
Подходит для пластин площадью до 49 см²
До 6 пластин за один эпитаксиальный процесс
Идеальный рост слоев
Легкое удаление твердого расплава после процесса
Защита поверхности пластины
до и после эпи-выращивания
Полностью автоматическая обработка с компьютерным управлением
Регистрация данных всех параметров процесса
Закрытый загрузочный перчаточный ящик с N2-атмосферой
Принцип работы установки LPE-оборудования заключается в технологии жидкофазной эпитаксии (LPE) с использованием технологии вращающейся погружной лодки
