Описание
В последние годы силовая электроника оказала решающее влияние на технологию производства, распределения и преобразования электроэнергии. Современные полупроводники позволяют быстро и безопасно контролировать и преобразовывать электрическую энергию с минимальными потерями. Ключевыми участниками прогресса в этой области являются отключаемые силовые полупроводники, такие как IGBT (биполярные транзисторы с изолированными затворами), MOSFET (полупроводниковые транзисторы с эффектом окиси металла) и GTO (тиристоры с отключением затвора). Продукты VAC вносят значительный вклад в поддержание эффективности и безопасности при переключении полупроводников и передаче электроэнергии с низкими потерями.
Высокие частоты коммутации, высокое напряжение блокировки и мощность коммутации влияют на способ активации и управления полупроводником, обеспечивая безопасное и простое переключение. Приводные трансформаторы обеспечивают гальваническую развязку и одновременно подают коммутирующий сигнал и/или энергию для полупроводниковой цепи привода.
Трансформаторы должны отвечать ряду требований
— Высокая прочность изоляции
— Низкая емкость связи для высокой помехоустойчивости
— Компактная конструкция
— Низкая индуктивность рассеяния для высокой точности импульсов
— Передача коммутируемой мощности
— Широкий диапазон рабочих температур (например, от -40 °C до +105 °C)
— национальные и международные стандарты, например EN 50178, IEC 61800, UL508, IEC 62109, UL1741
Свойства трансформатора:
— До 1200 В постоянного тока для SMD, до 8,5 кВт для PTH
— Низкое число оборотов
— Доступные SMD-решения
— Меньшее число оборотов, высокая проницаемость
— Обычно от 2 до 20 ватт
— Низкие и линейные изменения проницаемости при изменении температуры
— Проектирование в соответствии с применимыми стандартами, проверка свойств путем инспекций и типовых испытаний
